大功率N沟MOS管
型号：STP80NF10
封装：TO-220
FET类型：场效应MOS管
漏源电压（Vdss）：100
漏极电流(Id)：80A
漏源导通电阻(RDS On)：10
栅源电压(Vgs)：100
栅极电荷(Qg)：100
反向恢复时间：2S
最大耗散功率：80（mW）
工作温度范围：-55℃～+125℃
安装类型：直插
应用领域：家用电器,汽车电子,智能家居等...
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