400-003-5559
EN
×
SiC技术驱动下雷达电源模块的车规电容选型策略
随着碳化硅（SiC）功率器件在新能源车雷达电源模块中的大规模应用，其高频（>100kHz）、高压（800V+）与高温（>150℃）特性对配套电容的性能提出革命性需求。传统硅基方案的电容器件因ESR（等效串联电阻）高、耐温能力不足，难以匹配SiC器件的效率优势。东莞市平尚电子科技有限公司（平尚科技）基于AEC-Q200车规认证标准，围绕SiC技术特性重构电容选型逻辑，为雷达电源模块提供从材料选型到系统集成的全链路解决方案。
SiC技术对电容的严苛需求与挑战
SiC MOSFET的开关频率可达传统IGBT的5-10倍，电源模块的dv/dt速率超过50kV/μs，这对电容的高频损耗与电压耐受能力提出双重挑战：
高频损耗抑制：高频开关下电容ESR产生的热损耗可能占系统总损耗的30%，需ESR低于5mΩ且具备宽频稳定性；
高压瞬态耐受：SiC器件关断时的电压尖峰易击穿电容介质，要求电容耐压等级达额定值的2倍以上；
高温寿命保障：SiC模块工作温度可达175℃，电容需在高温下保持容值衰减率<±5%（1000小时）。
平尚科技的选型策略聚焦材料适配性与高频电路协同设计，其车规电容通过三项技术突破应对上述挑战：
高介电常数陶瓷材料：采用钛酸钡基纳米掺杂技术，介电常数（ε_r）提升至4000，相同容值下体积缩小50%，ESR低至2mΩ@100kHz；
多层金属化薄膜工艺：通过锌铝复合电极与聚丙烯薄膜叠加，耐压等级达2000V，瞬时dv/dt耐受能力超100kV/μs；
高温封装技术：环氧树脂+硅胶复合灌封结合铜镍合金端电极，热阻降低至1.2℃/W，175℃下容值漂移率<±2%。
车规级认证与可靠性验证
平尚科技的车规电容通过AEC-Q200全套测试验证：
极端温度循环：-55℃~175℃ 1000次循环后，容值变化率<±1%；
高压耐久性：在额定电压1.5倍（1200V）下持续加载1000小时，无介质击穿或漏电流超标；
机械可靠性：通过50G机械冲击与20G振动测试，焊点抗剪切强度>80MPa。
其自动化产线采用AI光学检测与X射线探伤技术，缺陷率低于10ppm，支撑头部车企2025年L4级车型的量产需求。某800V平台激光雷达电源模块实测显示，搭载平尚电容的SiC驱动电路效率达98.5%，温升较传统方案降低40%。
选型策略与行业应用
针对SiC雷达电源模块的典型场景，平尚科技提出三级选型逻辑：
输入滤波电容：选用低ESL（<1nH）的X7R材质MLCC，抑制SiC开关噪声对前级电路的传导干扰；
DC-Link电容：采用金属化薄膜电容（如C4A级），耐压1600V且容值密度>3μF/cm³，支撑瞬时功率波动；
输出端缓冲电容：高频低损耗陶瓷电容（NP0/C0G），谐振频率>10MHz，匹配SiC的快速开关特性。
以某新能源车企的4D成像雷达项目为例，其电源模块采用平尚科技车规电容后，在ISO 16750-4高温测试中，输出电压纹波从5%压缩至1.2%，系统效率提升至96%，模块寿命延长至15万小时。
未来趋势：集成化与智能化升级
平尚科技正推动电容-SiC模组一体化设计，将电容直接嵌入SiC功率模块封装内，通过3D堆叠技术减少寄生电感50%。同时研发智能电容模组，集成温度/电压传感器与自愈功能，通过AI算法预测老化趋势并动态调整工作参数，为L5级自动驾驶提供零失效硬件支持。
首页
产品中心
关于我们
一键呼我
回顶