400-003-5559
EN
×
纳米级薄膜工艺突破：新型贴片电阻耐压值提升300%的秘密
东莞平尚电子科技有限公司改写高压电路设计规则
——平尚电子原子层沉积技术开启高压电路新纪元
![ALD镀膜设备工作实景]
2024年第三方检测报告显示：采用纳米薄膜工艺的贴片电阻耐压值突破3kV，较传统工艺提升3倍，填补国内车规级高压电阻技术空白。
行业痛点：传统工艺的物理极限
在电动汽车OBC（车载充电机）、光伏逆变器等高压场景中，0402封装电阻的耐压性能长期受制于：
电极边缘场强集中（＞10<sup>6</sup> V/m）引发介质击穿
晶界缺陷导致漏电流指数级增长（@800V工况）
热应力开裂（＞200℃温差循环）
平尚电子通过原子层沉积（ALD）技术重构电阻微观结构，实现耐压性能革命性突破。
三大核心技术突破
1. 三维纳米包覆镀膜
镀层结构：Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/TiO<sub>2</sub> 交替堆叠（单层厚度0.3nm）
性能提升：
介质击穿场强：从15MV/m提升至45MV/m
漏电流抑制：@1kV时降低至0.1nA（传统工艺10μA）
（图1：纳米包覆结构TEM显微照片）
2. 梯度掺杂电极技术
材料体系：NiCr-AlN-Mo多层复合结构
关键参数：
电阻温度系数：±25ppm/℃（-55℃~175℃）
抗电迁移能力：10<sup>5</sup> A/cm<sup>2</sup>（IEC 60115标准）
3. 晶界工程优化
采用等离子体辅助晶界钝化工艺
晶粒尺寸从微米级细化至50-80nm
晶界缺陷密度降低92%（EBSD测试结果）
实测数据对比（0402封装/100kΩ/1%）
典型应用场景
案例一：电动汽车800V快充模块
挑战：传统电阻在650V时失效率＞5%
平尚方案：
采用PSH-HV系列纳米薄膜电阻
实测耐压值：3500V（持续1分钟无击穿）
模块体积缩小40%，效率提升至98.7%
案例二：光伏组串式逆变器
痛点：1500V系统电弧检测误触发
解决效果：
漏电流＜5μA（EN 50530标准）
MTBF（平均无故障时间）突破25年
技术生态布局
1. 设备自主化
联合中微半导体开发国产ALD镀膜设备
镀膜均匀性：±1.5%（优于国际同类设备）
2. 标准制定
主导起草《T/CESA 1205-2025 纳米薄膜贴片电阻技术规范》
通过AEC-Q200 Rev.G、UL 94 V-0认证
3. 产能规划
2025年建成纳米薄膜电阻超级工厂
设计产能：50亿颗/年（高压型号占比60%）
产业影响与市场前景
成本优势：量产价格仅为进口同类产品65%
供应链安全：关键材料国产化率100%
市场预测：2026年全球高压贴片电阻市场规模达22亿美元（Yole数据）
首页
产品中心
关于我们
一键呼我
回顶