400-003-5559
EN
×
肖特基二极管的原理与特性
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
肖特基二极管的性能受温度影响较小，能在较宽的温度范围内保持稳定的性能。其正向压降和反向击穿电压虽然随温度的升高而降低，但相对于其他类型的二极管，肖特基二极管的温度系数较小，因此具有较好的温度稳定性。
肖特基二极管的频率特性响应较快，适用于高速数字电路和射频电路等高频应用场景。其截止频率较高，能够满足高频电路中的信号隔离、滤波、整流等需求。
平尚科技致力于为全球客户提供二极管解决方案及电子元器件配套服务，我们拥有专业的团队、先进的设备、稳定的供应商和丰富的经验，能够为客户提供高效、可靠、全面的服务。我们一直以客户满意为宗旨，不断追求进步，成为行业内的带领者。联系电话：13622673179 曾生；欢迎广大客户与我们联系，共同开创美好的未来。
首页
产品中心
关于我们
一键呼我
回顶