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半导体三极管的主要参数

文章出处:公司动态 网责任编辑: 东莞市平尚电子科技有限公司 阅读量: 发表时间:2021-07-23 08:38:33

半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。

半导体三极管的主要参数介绍:

电流扩大系数:关于三极管的电流分配规则Ie=Ib+Ic,因为基极电流Ib的改变,使集电极电流Ic发作更大的改变,即基极电流Ib的细小改变操控了集电极电流较大,这就是三极管的电流扩大原理。即β=ΔIc/ΔIb。

极间反向电流,集电极与基极的反向饱满电流

极限参数:反向击穿电压,集电极答应电流、集电极答应功率损耗。

半导体三极管具有三种作业状况:扩大、饱满、截止,在模仿电路中通常运用扩大效果。饱满和截止状况通常合用在数字电路中。

文章配图30

三极管三种扩大电路的差异及分辨可以从扩大电路中经过沟通信号的传输途径来分辨,没有沟通信号经过的极,就叫此极为公共极。

用万用表分辨半导体三极管的极性和类型(用指针式万用表)。

a;先选量程:R﹡100或R﹡1K档位.

b;分辨半导体三极管基极

分辨半导体三极管的c极和e极:

断定基极后,关于NPN管,用万用表两表笔接三极管别的南北极,替换丈量两次,若两次丈量的成果不相等,则其间测得阻值较小得黑笔接的是e极,红笔接得是c极(假若PNP型管则黑红表笔所接得电极相反)。

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