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MOS管的主要知识点,你都晓得吗?

文章出处:常见问题 网责任编辑: 东莞市平尚电子科技有限公司 阅读量: 发表时间:2021-03-26 08:31:36

1. MOS管描述

MOS管还称之为场效应管,在集成电路中绝缘性场效应管。在一定结构的半导体器件上,加上二氧化硅和

金属,形成栅极。MOS管的source和drain都是在P型backgate中形成的N型区,他们是可以对调的

2. MOS管结构特点

单极型晶体管导通时只有一种极性的载流子参与导电,导电机理与小功率MOS管相同,结构上有所区别,

小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET通常采用垂直导电结构,提高了MOSFET器件的耐压和耐电

流能力。

主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,所以具有很高的输入电阻,导通时在两个高

浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于

阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。

文章配图19

3.1MOS管的输入&输出特性

共源极接法的电路,源极和衬底之间被二氧化硅绝缘层隔离,所以栅极电流为0。

3.2MOS管的导通特性

MOS管为开关元件,工作在截止或导通两种状态。MOS管是电压控制元件,主要由栅源电压uGS决定它的工

作状态

PMOS的特性:Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况。但由于导通电阻大,价格较高等

原因,在高端驱动中,一般会用NMOS。

NMOS的特性:Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况,栅极电压达到4V或10V就可

4. MOS管工作原理

(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成

的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。当栅极电压改变时,沟道内被感应的电荷量也改变,导电沟道的宽窄也随之而变,所以漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。


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